（原标题：拓荆科技盈利反转 半导体设备国产替代加速）赢盈配资
受益于国内下游晶圆制造厂对国内半导体设备的需求增加，拓荆科技的收入规模快速增长。公司研发投入较高，一度对业绩产生阶段性冲击，而新产品的量产成功则打破了利润瓶颈，打开第二增长曲线。
7月18日，拓荆科技公布2025年二季度业绩预告，该季度实现扣非归母净利润2.15亿-2.24亿元，同比增长235%-249%，扭转了一季度利润出现亏损的局面。
而从公司历史单季盈利状况来看，净利润大多在四季度集中确认，2021-2024年四季度盈利占全年盈利均值达65%，二季度的利润大增体现出公司盈利的拐点。
公司把握半导体设备国产替代的战略机遇，积累薄膜沉积设备和三维集成领域的先进键合设备及配套质量检测设备的技术经验，其产品成熟度逐渐获得市场认可，渗透率不断提升，成为国产半导体设备的龙头之一，自2022年4月以来已较最低的40.07元/股上涨了3倍，当前市值已接近500亿元。
2025年二季度起，公司迎来营收和盈利双爆发，主要是基于新型设备平台和新型反应腔等先进工艺薄膜设备陆续通过客户验收，量产规模不断扩大。二季度毛利率环比大幅改善，期间费用率同比下降，体现出规模效应。
经过多年的高强度自主研发，拓荆科技推出了数款键合设备，其中芯片对晶圆键合前表面预处理产品已实现量产，在国内具有领先优势。新款键合设备的验证成功为公司未来的进一步增长奠定了基础。
毛利率回升 现金流改善赢盈配资
2025年一季度，拓荆科技新产品获得批量验证，公司实现营业收入7.09亿元，同比增长约50.22%；由于验证成本较高的新品销售额占比达70%，公司的期间费用同比高增，扣非归母净利润短期承压，亏损1.80亿元。
二季度，公司预计实现营业收入12.10亿-12.60亿元，同比增长52%-58%，预计实现扣非归母净利润2.15亿-2.24亿元，同比增长235%-249%，均创下历史同期新高。
公司预计2025年二季度扣非净利润同比及环比均大幅增长，除因营业收入持续大幅增长之外，主要原因系公司新产品验证机台完成技术导入，并实现量产突破和持续优化，二季度毛利率环比大幅改善，呈现稳步回升态势。期间费用率同比下降，进一步释放利润空间。
近年来，受益于国内下游晶圆制造厂对国内半导体设备的需求增加，公司新签销售订单及出货金额均同比大幅增加，营业收入维持高增长趋势。公司的营业收入由2020年的4.36亿元增长至2024年的41.03亿元，归母净利润在2021年实现扭亏后保持增长态势。
2023年一季度至2024年四季度，公司经营活动产生的现金流量净额持续为负，主要因购买商品、接受劳务支付的现金较多；公司的现金流依赖外部借款，资产负债率由51.55%增长至65.40%。
2025年一季度，经营性现金流量净额增长至1093万元，二季度经营活动产生的现金流量净额预计为14.80亿-15.80亿元，经营性净现金流大幅转正有利于改善公司的资金状况。
随着技术水平、产品先进性及市场地位的提高，拓荆科技的综合毛利率在2021-2023年经历了稳步提升，2023年达到51.01%。
2024年起毛利率波动，主要系新产品及新工艺收入占比大幅提升，前期客户验证成本较高，公司的产品从签订订单到交付的周期通常为3-6个月。目前，新产品在客户端已验证成熟，毛利率预计会呈现明显改善趋势。
研发驱动增长赢盈配资
拓荆科技的主要产品为薄膜沉积设备，包含等离子体增强化学气相沉积（下称“PECVD”）、原子层沉积（下称“ALD”）、次常压化学气相沉积、高密度等离子体化学气相沉积以及流动性化学气相沉积等品类。可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约100多种工艺应用。
薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量巨大，且直接影响芯片的性能。在FLASH存储芯片领域，随着主流制造工艺已由2D NAND发展为3D NAND结构，结构的复杂化导致对于薄膜沉积设备的需求量逐步增加。而随着3D NAND闪存芯片的堆叠层数不断增高，逐步向更多层及更先进工艺发展，对于薄膜沉积设备的需求提升的趋势亦将延续。
在90nm CMOS芯片工艺中，大约需要40道薄膜沉积工序。在FinFET工艺产线，大约需要超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级，进而拉动晶圆厂对薄膜沉积设备需求量的增加。
据推算，2024年全球薄膜沉积设备市场规模约为230亿美元，约占晶圆制造设备市场的22%，中国大陆薄膜沉积设备市场规模约为97亿美元，但国产化率不足15%。
在薄膜沉积设备市场中，应用材料、泛林半导体和东京电子三大厂商占据了全球约70%的市场份额。在三维集成领域，先进键合设备市场主要由EV Group公司、东京电子、博思、先进科技等公司高度垄断，这些厂商占据全球绝大部分的市场份额。
国内设备商则各有所长，北方华创布局多款薄膜沉积设备，例如低真空化学气相沉积、金属有机化学气相沉积、原子层沉积等系列产品；中微公司钨系列薄膜沉积产品可覆盖存储器件所有钨应用，现已完成多个钨设备的样品验证；微导纳米半导体原子层沉积、化学气相沉积设备已取得批量重复订单。
拓荆科技的研发费用占公司营业收入的20%左右，投入力度超过同行。通过高强度的研发保持细分领域技术领先的同时，不断丰富薄膜沉积设备及三维集成设备产品的品类。2024年研发人员共有648名，占员工总数的42.30%。
2025年二季度，公司生产的薄膜设备公司先进制程的验证机台已顺利通过客户认证，逐步进入规模化量产阶段。基于新型设备平台和新型反应腔的先进工艺设备，陆续通过客户验收，量产规模不断增加。ALD设备持续扩张，2025年二季度销售收入超过2024年度收入规模。
打造第二增长极
随着芯片制程持续缩小并接近物理极限，单纯依赖平面工艺极限已无法实现性能迭代，技术路径逐步转向新的架构设计及芯片堆叠方式，三维集成技术则是这一技术创新和发展趋势的关键驱动力，而先进键合设备凭借其突破性技术优势成为三维集成技术领域的核心设备。
应用于三维集成领域的设备是实现三维集成芯片、芯粒等芯片堆叠的关键，同时也是先进逻辑和先进存储等芯片从2D向3D芯片设计架构发展的技术基础。
先进键合设备及配套的检测设备作为三维集成中的核心装备，可以提供键合面小于1微米互联间距以实现芯片或晶圆的堆叠，使芯片间的通信速度提升至业界更高水平，有效打破“通信墙”，从而提高系统性能。
拓荆科技研发并推出了应用于三维集成领域的先进键合设备及配套使用的质量检测设备，包括混合键合、熔融键合设备。拓展了晶圆对晶圆熔融键合设备、芯片对晶圆混合键合设备，以及配套使用的键合套准精度量测设备、键合强度检测设备，这些产品已取得客户订单或重复订单。
特别是芯片对晶圆键合前表面预处理产品已实现量产，据介绍，该产品是目前国内唯一应用在芯片对晶圆生产线上的同类型设备。
混合键合首先商用应用于图像传感器，也在3D存储器领域进入商业量产阶段。高带宽存储器（下称“HBM”）有望成为混合键合未来重要市场，随着存储带宽、功率效率等要求提升，以及堆叠带来的减薄需求，HBM制造商预计将在HBM4上开始应用混合键合工艺。
公司应用于三维集成领域的先进键合设备作为高精度专用装备，键合精度达百纳米级，当前仍处于产业化初期，是高带宽存储器、三维闪存芯片、3D内存、异构集成芯片等领域的核心支撑技术。
在产业应用完成规模化验证之前，公司也在2024年报中表示，存在定制化需求攀升的技术风险，使研发投入超预期增长及验证周期延长，导致收入确认及回款周期延后，加剧资金链压力，对财务稳健性构成潜在风险。
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